答案: t=刻蚀所用的时间 为了高的产量,希望有高的刻蚀速率。3刻蚀选择比指的是同一刻蚀条件下一种材料与另一种刻蚀材料相比刻蚀速率快多少。他定义为被刻蚀材料的刻蚀速

2014年7月29日 干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。 特点:能实现各向异性刻蚀,从而保证细小图形转移后的保真性。 缺点

2021年8月19日 曝到光的光刻胶能被显影液溶解掉,这是正胶。 题型:判断题 电位器的英文缩写是() 题型:单项选择题 干法刻蚀适用于线条较宽的工艺。 题型:判断题 湿法刻蚀不易产

2017年5月29日 幹法刻蝕不像濕法刻蝕那樣有很高的選擇比,過度的刻蝕可能會損傷下一層的材料,因此刻ICL7642ECPD蝕時間必須准確無誤地掌握。另外,機器的情況(如氣體流量、溫度

1 干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀是把硅片表面暴露于空气中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口, 与硅片发生物理或化学反应,从而去掉暴露的表面材料。 湿法腐蚀是以

2021年8月19日 首頁 考试题库 在线模考 资料下载 网课试题登录 注册 首頁 考试题库 模拟考场 资料下载 网课试题 大学试题 题库首頁 每日一练 章节练习 判断题湿法刻

2020年6月19日 具體工藝上對幹法刻蝕的要求是:對光刻膠和下層材料等不需要刻蝕的材料具有高選擇比、有可接受的産能的刻蝕速率、好的側壁剖面控制、好的片內均勻性、低器件損傷和較寬的工藝制造窗口

2016年12月13日 與幹法刻蝕相比,濕法腐蝕工序在成本,速度,性能發面更有優勢。幹法刻蝕的仿真還不可用,如常用的微結構的選擇性鑽蝕或與晶向相關的腐蝕仿真等。考慮到幹法刻蝕要求在一個昂貴的等離子

2021年1月7日 幹蝕刻有三種類型(例如等離子蝕刻):化學反應(通過使用反應性等離子體或氣體),物理去除(通常通過動量傳遞)以及化學反應和物理去除的組合。另一方面,濕蝕刻僅是化